1)最大可切割工件为直径是150mm的圆片,以及直径为150mm圆片覆盖范围内的其他任意尺寸样品;
2)台盘表面平行度±0.005/120mm;
3)主轴转速范围10000~50000转/分钟,最大功率1.5KW;
4)Y轴单一定位精度优于0.003/5mm,全程定位精度优于0.005/170;
5)Z轴重复定位精度0.001mm,使用Φ58mm刀具;
6)θ轴重复定位精度优于±0.001度;
7)X轴速度设定范围0.1~400mm/秒;
8)配合不同刀轮,可切割厚度1mm以内的多种样品,如玻璃,氧化铝,石英,硅片、化合物半导体等。切割刀痕宽度最小20um,崩边最小可实现1um;
1)可用于切割硅片和化合物半导体,也可用于切割玻璃、石英和氧化铝等玻璃或陶瓷材料;
2)CCD可对带有芯片图形的晶圆进行检测,实现自动对焦,可对切割痕进行测量;
3)带图形化切割程序,可根据芯片图形进行连续切割;
1)配有硬刀和软刀两类刀片,其中硬刀配有颗粒度从2000~5000号,刀刃露出量从0.50~1.0mm的多种不同型号,用于切割硅片和化合物半导体;软刀配有厚度为0.2mm的刀轮,刀痕宽度在200um,用于切割玻璃、石英和氧化铝等玻璃或陶瓷材料;
2)配有CCD对芯片图形进行检测,可实现图案自动对焦,可对切割痕进行测量;
3)配有刀片非接触测高,刀片破损检测,以及多片切割等功能;
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