清洗模式:RIE模式和PE模式可切换;衬底最大尺寸:直径或者边长200mm;射频功率:0-300W,自动匹配,反射功率<5%(最大功率);
1路MFC控制的O2气体,最大流量50sccm;胶速度和均匀性:RIE模式时(1层电极板),去胶速度>100nm/min,6寸均匀性<±15%;
工艺可由菜单控制也可由手动控制,可调节的工艺参数包括:气体流量,等离子功率;最多可编辑保存菜单:100个;
该设备其工作原理是将样品置于真空反应系统中,通入少量氧气,射频电源(13.56MHz)通过平行板电容放电的方式将O2电离,电离后的阳离子和自由基与样品表面的有机物,如光刻胶、有机残留物等发生反应,并将其去除。
主要用于用于去除样品表面残留光刻胶及对材料进行表面改性。
应用领域包括:有机膜的表面清洁、光学器件的精密清洗、光刻胶灰化、去除有机污染物、增加粘附性。
无
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