仪器列表
主要规格及技术指标
1) 硅衬底刻蚀（光刻胶掩模）：
a) 刻蚀速率不低于 1 um/min;
b) 硅:光刻胶选择性（Selectivity），不低于 2:1
c) 刻蚀轮廓（Profile），轮廓角度> 89 度
d) 刻蚀均匀性（Uniformity，150mm衬底，10mm边缘去除），片内5点< 3% ,片间(3片)< 5% ;
2) SiO2刻蚀（光刻胶掩模）：
a) 刻蚀速率不低于 0.2 um/min;
b) SiO2：光刻胶选择性（Selectivity）， 不低于 2:1
c) 刻蚀轮廓（Profile），轮廓角度> 89 度
d) 刻蚀均匀性（Uniformity，150mm衬底，10mm边缘去除），片内5点< 3% ,片间(3片)< 5% ;
3) Si3N4刻蚀（光刻胶掩模）：
a) 刻蚀速率不低于 0.2 um/min;
b) Si3N4：光刻胶选择性（Selectivity）， 不低于 2:1
c) 刻蚀轮廓（Profile），轮廓角度> 89 度
d) 刻蚀均匀性（Uniformity，150mm衬底，10mm边缘去除），片内5点< 3% ,片间(3片)< 5% ;
主要功能及特色
该设备通过在反应腔室外的电磁线圈上加射频电源，急剧变化的感应电场和感应磁场相互耦合，使得初始电子获得能量轰击中性粒子，产生稳定的等离子体。等离子体在射频偏压电场的加速作用下移动到样品表面，对样品表面进行物理轰击同时化学反应产生挥发性气体，从而达到刻蚀的目的。
该设备主要用于聚合物和光刻胶,可以跟F基气体反应的氧化物、氮化物等材料的刻蚀，控制刻蚀的形貌（同向性或异向性），并保持整个样品的均匀性，在衬底上形成的图案结构微纳米结构。
接受金属薄膜作为掩膜的刻蚀需求。
主要刻蚀材料包括：Si、SiO、SiN、Ti、TiO2、TiN、GaO、PZT、NiO、Au（几十纳米尺寸）HfO、硫系玻璃等。
主要附件及配置
1. ICP源功率：0-1000W，13.56MHz，Bias源功率：0-600W，13.56MHz；2. 反应气体：Ar、O2、CHF3、CF4、SF6；3. 背底冷却方式：He循环+水冷机；4. 下电极温度：10至60℃；5. 自动传样；6. 工艺可菜单控制也可手动控制；7.兼容8英寸及以下样品；
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