大型仪器共享管理系统

1) 硅衬底刻蚀（光刻胶掩模）：
a) 刻蚀速率不低于 200 nm/min;
b) 硅:光刻胶选择性（Selectivity），不低于 3:1
c) 刻蚀轮廓（Profile），轮廓角度> 80 度
d) 刻蚀均匀性（Uniformity，100mm衬底，10mm边缘去除），片内5点< 5% ,片间(3片)< 5% ;
2) SiO2刻蚀（光刻胶掩模）：
a) 刻蚀速率不低于 100 nm/min;
b) SiO2：光刻胶选择性（Selectivity），不低于 2:1
c) 刻蚀轮廓（Profile），轮廓角度> 80 度
d) 刻蚀均匀性（Uniformity，100mm衬底，10mm边缘去除），片内5点< 5% ,片间(3片)< 5% ;
3) Si3N4刻蚀（光刻胶掩模）：
a) 刻蚀速率不低于 200 nm/min;
b) Si3N4：光刻胶选择性（Selectivity），不低于 1:1
c) 刻蚀轮廓（Profile），轮廓角度> 80 度
d) 刻蚀均匀性（Uniformity，100mm衬底，10mm边缘去除），片内5点< 5% ,片间(3片)< 5% ;

主要功能及特色

该设备通过在反应腔室外的电磁线圈上加射频电源，急剧变化的感应电场和感应磁场相互耦合，使得初始电子获得能量轰击中性粒子，产生稳定的等离子体。等离子体在射频偏压电场的加速作用下移动到样品表面，对样品表面进行物理轰击同时化学反应产生挥发性气体，从而达到刻蚀的目的。
该设备用且仅于硅、聚合物和光刻胶、硅基介质材料如：氧化硅、氮化硅的刻蚀。控制刻蚀的形貌（同向性或异向性），并保持整个样品的均匀性，在衬底上形成的图案结构微纳米结构。
注意：为保持设备及工艺稳定性,此设备且仅限于用光刻胶或电子束胶作为掩膜时使用，不接受刻蚀金属及使用用金属作为掩膜的样品,任何用金属作为掩膜材料的刻蚀（Si、SiO及SiN的刻蚀）请选用鲁汶ICP。
具体情况请咨询设备负责人。

主要附件及配置

1. ICP源功率：0-1KW，13.56MHz，Bias源功率：0-300W，13.56MHz；
2. 反应气体：SF6、Ar、O2、CHF3、C4F8、CF4；
3. 背底冷却方式：He循环+水冷机；
4. 下电极温度：20至25℃；5. 自动传样；6. 工艺可菜单控制也可手动控制； 7.最大样品尺寸：4英寸

主要规格及技术指标

主要功能及特色

主要附件及配置