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鲁汶等离子体增强化学气相沉积设备（带金属或有机膜层的衬底）
仪器编号
WCMNF-2019-D002
规格
生产厂家
江苏鲁汶仪器有限公司
型号
HAASRODE-P200A
制造国家
中国
分类号
120302
放置地点
云谷校区E10-119
出厂日期
2019-08-14
购置日期
2019-08-14
入网日期
2019-11-12
主要规格及技术指标
1）配置5%SiH4/95%N2，N2O，NH3，N2，CF4，O2等6路工艺气体；
2）1KW的13.56MHz射频电源；反应压力从500mTorr～3Torr可控；
3）热台衬底加热温度从100度到350度可调；
4）在8英寸（200mm直径) 衬底内，沉积氮化硅和氧化硅薄膜片内均匀性<3%, 每次沉积之间的均匀性<3%；薄膜633nm折射率从1.465~3.00可调，薄膜应力从压应力到张应力可调；
-->样品要求：
样品尺寸从8英寸（200mm直径）圆片到小尺寸碎片，厚度小于2mm的平面样品；接受衬底材质如硅片，玻璃，化合物半导体衬底，耐高温的塑料，不锈钢等材质；衬底需先进行清洗，去除表面颗粒和油污等方可送入反应腔镀膜；不可使用有挥发性或者未干燥样品；特殊样品请咨询设备管理员.
主要功能及特色
可用于沉积氧化硅，氮化硅，氮氧化硅和非晶硅等薄膜材料；
可提供不同折射率，光学带隙，吸收系数和薄膜应力的工艺参数组合；
-->服务内容：薄膜沉积，样品制备，用户培训，技术咨询
主要附件及配置
无
| 公告名称 | 公告内容 | 发布日期 |
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